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中微首台新装备已交付客户 良率稳固输出效率更高

香港文汇报讯(记者 贺鹏飞 南京报道)中国半导体芯片装备龙头企业中微公司16日宣布,其新一代电感耦合等离子体(ICP)刻蚀装备Primo Twin-Star(r)已交付客户投入生产,良率稳固。和海内外同类装备相比,这一刻蚀装备能以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率,为逻辑芯片和存储芯片等应用提供高性价比的刻蚀解决方案,可谓国产芯片晌蚀装备的又一重大突破。

中国半导体行业协会副理事长、清华大学微电子学研究所所长魏少军曾剖析指出,从芯片产业五大板块来看,现在中国在设计和封测领域已经走在天下前线,制造领域和国际先进工艺的差距也正在缩小,要害是产业链上游的质料和装备两个领域差距太大。

其中,芯片质料落伍的主要缘故原由是前期整体投入不够,然则近些年取得了长足提高,保持了快速生长势头。从久远来看,装备才是限制中国芯片产业生长的主要瓶颈。

同公司装备广获国际应用

而在芯片装备的细分领域,光刻机、刻蚀机和MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)装备由于手艺和生产工艺极为庞大,被并称为半导体工艺三概略害装备。其中,近几年广受舆论关注的光刻机只有少数几家公司能够制造,荷兰A *** L、日本Nikon和日本Canon三大品牌位居前三,最顶尖的EUV(极紫外)光刻机则被A *** L垄断,一台售价跨越10亿元人民币。

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中国在光刻机领域严重落伍,已经实现量产的国产光刻机中,手艺更先进的是上海微电子装备的90纳米光刻机,无法知足先进制程的芯片制造,与A *** L更先进的5纳米光刻机相距甚远。

不外,现在中国在刻蚀机和MOCVD装备领域已跻身国际先进水平,并在全球市场占有一席之地。中微公司开发的等离子体刻蚀装备已被普遍应用于国际一线客户从65纳米到5纳米工艺的众多刻蚀应用。同时,中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD装备已在客户生产线上投入量产,并在全球氮化镓基LED MOCVD装备市场占有领先职位。

已收到海内领先客户订单

「现在的制造商对于生产成今天益敏感,我们的目的是为客户提供手艺创新、高生产率和高性价比的ICP刻蚀解决方案。」中微公司团体副总裁兼等离子体刻蚀产物事业总部总司理倪图强博士说,Primo Twin-Star(r)装备已在种种前道/后道制程、用于功率器件和CIS应用的深沟槽隔离刻蚀(DTI)中显示出卓越的性能。通过提供兼具这些优异性能和高性价比的解决方案,该装备不仅辅助客户解决了手艺难题,同时最洪水平地提升了其投资效益。

据悉,Primo Twin-Star(r)刻蚀装备已收到来自海内领先客户的订单,且首台装备已交付客户投入生产,良率稳固。现在,中微公司还在举行用于差异刻蚀应用的多项评估。


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